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STGP20H60DF

ST STGP20H60DF

600 V40 A209µJ(开),261µJ(关)-55°C ~ 175°C(TJ)TO-220-3

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STGP20H60DF
IGBT 600V 40A 167W TO220
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价格更新:一个月前

博斯克质量保证

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产品详情

Overview

STGP20H60DF is an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) module manufactured by STMicroelectronics. It is designed for high-power applications and features a combination of IGBT and diode components in a single package.

High-power converters and inverters.

Features

Tube Package


  • Fast switching speed

  • Tight parameter distribution

  • Positive VCE(sat) temperature coefficient

  • Low conduction and switching losses

  • Available in the TO-220 package



Through Hole Mounting Type

Applications


  • Motor control

  • UPS, PFC


产品属性
全选
包装: 管件
部件状态: 在售
IGBT 类型: 沟槽型场截止
最大集电极-发射极击穿电压: 600 V
集电极电流 (Ic)(最大值): 40 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm): 80 A
栅极-发射极电压和集电极电流时的最大集电极-发射极导通电压: 2V @ 15V,20A
最大功率: 167 W
开关能量: 209µJ(开),261µJ(关)
输入类型: 标准
栅极电荷: 115 nC
25°C 时的开/关延迟时间: 42.5ns/177ns
测试条件: 400V,20A,10 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr): 90 ns
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3
供应商器件封装: TO-220
STMicroelectronics

STMicroelectronics

STMicroelectronics(ST)是一家领先的半导体公司,成立于1987年,总部位于瑞士日内瓦。公司提供多种半导体解决方案,应用于汽车、工业、个人电子和通信等领域。ST的产品组合包括微控制器、传感器、模拟IC和电源管理芯片等。

实时新闻

博斯克数字

收入: 85M

2022年的收入为8500万美元,与2021年增长63%。

国家: 105

博斯克服务全球105个国家的客户。

配件发货: 25M+

我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件,比前五年增长148%。

制造商: 950

2022年,博斯克从近950个制造商售卖了配件。

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