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STGF15H60DF

ST STGF15H60DF

600 V30 A136µJ(开),207µJ(关)-55°C ~ 175°C(TJ)TO-220-3 整包

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STGF15H60DF
IGBT 600V 30A 30W TO220FP
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博斯克质量保证

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产品详情

Features

Tube Package
Trench Field Stop IGBT Type
600 V Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
30 A Current - Collector (Ic) (Max)
60 A Current - Collector Pulsed (Icm)
2V @ 15V, 15A Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
30 W Power - Max
136µJ (on), 207µJ (off) Switching Energy
Standard Input Type
81 nC Gate Charge
24.5ns/118ns Td (on/off) @ 25°C
400V, 15A, 10Ohm, 15V Test Condition
103 ns Reverse Recovery Time (trr)
Through Hole Mounting Type
产品属性
全选
包装: 管件
部件状态: 在售
IGBT 类型: 沟槽型场截止
最大集电极-发射极击穿电压: 600 V
集电极电流 (Ic)(最大值): 30 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm): 60 A
栅极-发射极电压和集电极电流时的最大集电极-发射极导通电压: 2V @ 15V,15A
最大功率: 30 W
开关能量: 136µJ(开),207µJ(关)
输入类型: 标准
栅极电荷: 81 nC
25°C 时的开/关延迟时间: 24.5ns/118ns
测试条件: 400V,15A,10 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr): 103 ns
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3 整包
供应商器件封装: TO-220FP
STMicroelectronics

STMicroelectronics

STMicroelectronics(ST)是一家领先的半导体公司,成立于1987年,总部位于瑞士日内瓦。公司提供多种半导体解决方案,应用于汽车、工业、个人电子和通信等领域。ST的产品组合包括微控制器、传感器、模拟IC和电源管理芯片等。

实时新闻

博斯克数字

收入: 85M

2022年的收入为8500万美元,与2021年增长63%。

国家: 105

博斯克服务全球105个国家的客户。

配件发货: 25M+

我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件,比前五年增长148%。

制造商: 950

2022年,博斯克从近950个制造商售卖了配件。

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