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STGB14NC60KDT4

ST STGB14NC60KDT4

600 V25 A82µJ(开),155µJ(关)-55°C ~ 150°C(TJ)TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

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STGB14NC60KDT4
IGBT 600V 25A 80W D2PAK
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博斯克质量保证

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产品详情

Overview

These devices are very fast IGBTs developed using advanced PowerMESH? technology. This process guarantees an excellent trade-off between switching performance and low on-state behavior.

Features

PowerMESH™ Series
Tape & Reel (TR) Package
600 V Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
25 A Current - Collector (Ic) (Max)
50 A Current - Collector Pulsed (Icm)
2.5V @ 15V, 7A Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
80 W Power - Max
82µJ (on), 155µJ (off) Switching Energy
Standard Input Type
34.4 nC Gate Charge
22.5ns/116ns Td (on/off) @ 25°C
390V, 7A, 10Ohm, 15V Test Condition
37 ns Reverse Recovery Time (trr)
Surface Mount Mounting Type
D2PAK Supplier Device Package
产品属性
全选
型号系列: PowerMESH™
包装: 卷带(TR)
部件状态: 在售
最大集电极-发射极击穿电压: 600 V
集电极电流 (Ic)(最大值): 25 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm): 50 A
栅极-发射极电压和集电极电流时的最大集电极-发射极导通电压: 2.5V @ 15V,7A
最大功率: 80 W
开关能量: 82µJ(开),155µJ(关)
输入类型: 标准
栅极电荷: 34.4 nC
25°C 时的开/关延迟时间: 22.5ns/116ns
测试条件: 390V,7A,10 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr): 37 ns
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
供应商器件封装: D2PAK
STMicroelectronics

STMicroelectronics

STMicroelectronics(ST)是一家领先的半导体公司,成立于1987年,总部位于瑞士日内瓦。公司提供多种半导体解决方案,应用于汽车、工业、个人电子和通信等领域。ST的产品组合包括微控制器、传感器、模拟IC和电源管理芯片等。

实时新闻

博斯克数字

收入: 85M

2022年的收入为8500万美元,与2021年增长63%。

国家: 105

博斯克服务全球105个国家的客户。

配件发货: 25M+

我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件,比前五年增长148%。

制造商: 950

2022年,博斯克从近950个制造商售卖了配件。

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