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L6491D

ST L6491D

半桥210V ~ 20V

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L6491D
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SO
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价格更新:一个月前

博斯克质量保证

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产品详情

Overview

The L6491D is a high voltage device manufactured with the BCD6 “OFF-LINE” technology. It is a single-chip half-bridge gate driver for N-channel power MOSFET or IGBT.

The high-side (floating) section is designed to stand a voltage rail up to 600 V. The logic inputs are CMOS/TTL compatible down to 3.3 V for easy interfacing microcontroller/DSP. An integrated comparator is available for fast protection against overcurrent, overtemperature, etc.

Features

Tube Package
Embedded in the Tube package
2 drivers
Employing a gate type of IGBT, N-Channel MOSFET
High-side voltage - Max (Bootstrap) of 600V

Surface Mount Mounting Type

Applications


There are a lot of STMicroelectronics
L6491D gate drivers applications.

  • RGB applications
  • Broadcast equipment
  • Active filtering
  • Head-up and Head mounted displays
  • High current laser/LED systems
  • LCD/LCoS/DLP portable and embedded pico projectors
  • Multicolor LED/laser displays
  • Smart Phones
  • Portable Navigation Devices
  • Portable Media Players
产品属性
全选
包装: 管件
部件状态: 在售
可编程: 未验证
驱动配置: 半桥
通道类型: 独立式
驱动器数: 2
栅极类型: IGBT,N 沟道 MOSFET
电源电压: 10V ~ 20V
逻辑低电平和高电平的电压电平: 1.45V,2V
电流 - 峰值输出(灌入,拉出): 4A,4A
输入类型: 非反相
最大高压侧电压(自启动): 600 V
上升/下降时间(典型值): 15ns,15ns
工作温度: -40°C ~ 125°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 14-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装: 14-SO
STMicroelectronics

STMicroelectronics

STMicroelectronics(ST)是一家领先的半导体公司,成立于1987年,总部位于瑞士日内瓦。公司提供多种半导体解决方案,应用于汽车、工业、个人电子和通信等领域。ST的产品组合包括微控制器、传感器、模拟IC和电源管理芯片等。

实时新闻

博斯克数字

收入: 85M

2022年的收入为8500万美元,与2021年增长63%。

国家: 105

博斯克服务全球105个国家的客户。

配件发货: 25M+

我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件,比前五年增长148%。

制造商: 950

2022年,博斯克从近950个制造商售卖了配件。

所有产品零件号 0 - Z