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UPD48576236F1-E18-DW1-A

Renesas UPD48576236F1-E18-DW1-A

16M x 36300 ps0°C ~ 95°C(TC)

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Renesas
UPD48576236F1-E18-DW1-A
IC DRAM 576MBIT HSTL 144TFBGA
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价格更新:一个月前

博斯克质量保证

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产品详情

Overview

UPD485506G5-35-7JF-E2 with pin details manufactured by NEC. The UPD485506G5-35-7JF-E2 is available in TSSOP48 Package, is part of the IC Chips.

UPD48576218FF-E24-DW1-A with EDA / CAD Models manufactured by RENESAS. The UPD48576218FF-E24-DW1-A is available in BGA Package, is part of the IC Chips.

Features

Bulk Package
Volatile Memory Type
DRAM Memory Format
LLDRAM Technology
576Mbit Memory Size
16M x 36 Memory Organization
HSTL Memory Interface
533 MHz Clock Frequency
300 ps Access Time
1.7V ~ 1.9V Voltage - Supply
0°C ~ 95°C (TC) Operating Temperature
Surface Mount Mounting Type
产品属性
全选
包装: 散装
部件状态: 停产
可编程: 未验证
存储器类型: 易失
存储器格式: DRAM
技术: LLDRAM
存储容量: 576Mb
存储器组织: 16M x 36
存储器接口: HSTL
时钟频率: 533 MHz
访问时间: 300 ps
电源电压: 1.7V ~ 1.9V
工作温度: 0°C ~ 95°C(TC)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 144-TBGA
供应商器件封装: 144-TFBGA (11x18.5)
Renesas

Renesas

Renesas Electronics Corporation是一家全球领先的半导体解决方案供应商,成立于2010年,总部位于日本东京。公司主要提供微控制器、模拟IC、电源管理IC和SoC解决方案,服务于汽车、工业、家电和物联网市场。

实时新闻

博斯克数字

收入: 85M

2022年的收入为8500万美元,与2021年增长63%。

国家: 105

博斯克服务全球105个国家的客户。

配件发货: 25M+

我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件,比前五年增长148%。

制造商: 950

2022年,博斯克从近950个制造商售卖了配件。

所有产品零件号 0 - Z