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2SJ494-AZ

Renesas 2SJ494-AZ

P 通道60 V20A(Ta)2V @ 1mA2W(Ta),35W(Tc)150°C通孔

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Renesas
2SJ494-AZ
2SJ494 - SWITCHING P-CHANNEL POW
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博斯克质量保证

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产品详情

Overview

2SJ49 with pin details manufactured by HITACHI. The 2SJ49 is available in TO-3P Package, is part of the IC Chips.

2SJ494 with EDA / CAD Models manufactured by NEC. The 2SJ494 is available in TO-220F Package, is part of the IC Chips.

Features

Bulk Package
MOSFET (Metal Oxide) Technology
60 V Drain to Source Voltage (Vdss)
20A (Ta) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
4V, 10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
50mOhm @ 10A, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs
2V @ 1mA Vgs(th) (Max) @ Id
74 nC @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
±20V Vgs (Max)
2360 pF @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2W (Ta), 35W (Tc) Power Dissipation (Max)
150°C Operating Temperature
Through Hole Mounting Type
产品属性
全选
包装: 散装
部件状态: 停产
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 20A(Ta)
最大驱动电压(Rds 开启),最小驱动电压(Rds 开启): 4V,10V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 50 毫欧 @ 10A,10V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 2V @ 1mA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
最大栅极源电压: ±20V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 2360 pF @ 10 V
最大功率耗散: 2W(Ta),35W(Tc)
工作温度: 150°C
安装类型: 通孔
供应商器件封装: MP-45F
封装/外壳: TO-220-3 隔离片
Renesas

Renesas

Renesas Electronics Corporation是一家全球领先的半导体解决方案供应商,成立于2010年,总部位于日本东京。公司主要提供微控制器、模拟IC、电源管理IC和SoC解决方案,服务于汽车、工业、家电和物联网市场。

实时新闻

博斯克数字

收入: 85M

2022年的收入为8500万美元,与2021年增长63%。

国家: 105

博斯克服务全球105个国家的客户。

配件发货: 25M+

我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件,比前五年增长148%。

制造商: 950

2022年,博斯克从近950个制造商售卖了配件。

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