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JANTX2N6796

IR JANTX2N6796

N 通道100 V8A(Tc)4V @ 250µA800mW(Ta),25W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)通孔

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JANTX2N6796
MOSFET N-CH 100V 8A TO205AF
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价格更新:一个月前

博斯克质量保证

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产品详情

Overview

JANTX2N6788CDBN with pin details manufactured by SILICONIX. The JANTX2N6788CDBN is available in TO-39 Package, is part of the IC Chips.

The JANTX2N6794 is Trans MOSFET N-CH 500V 1.5A 3-Pin TO-39 manufactured by IR. The JANTX2N6794 is available in CN3 Package, is part of the IC Chips, , and with support for Trans MOSFET N-CH 500V 1.5A 3-Pin TO-39.

Features

Bulk Package
a continuous drain current (ID) of 8A
a 100V drain to source voltage (Vdss)

Through Hole Mounting Type

Applications


There are a lot of Microsemi Corporation
JANTX2N6796 applications of single MOSFETs transistors.

  • AC-DC Power Supply
  • Synchronous Rectification for ATX 1 Server I Telecom PSU
  • Motor drives and Uninterruptible Power Supplies
  • Micro Solar Inverter
  • DC/DC converters
  • Power Tools
  • Motor Drives and Uninterruptible Power Supples
  • Synchronous Rectification
  • Battery Protection Circuit
  • Telecom 1 Sever Power Supplies
产品属性
全选
型号系列: Military, MIL-PRF-19500/557
包装: 散装
部件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 8A(Tc)
最大驱动电压(Rds 开启),最小驱动电压(Rds 开启): 10V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 195 毫欧 @ 8A,10V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 4V @ 250µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 28.51 nC @ 10 V
最大栅极源电压: ±20V
最大功率耗散: 800mW(Ta),25W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-205AF(TO-39)
封装/外壳: TO-205AD,TO-39-3 金属罐
International Rectifier

International Rectifier

International Rectifier(IR)是一家专注于电源管理技术的半导体公司,成立于1947年,总部位于美国加利福尼亚州埃尔塞贡多。2015年,IR被Infineon Technologies收购,成为其电源管理解决方案的重要组成部分。

实时新闻

博斯克数字

收入: 85M

2022年的收入为8500万美元,与2021年增长63%。

国家: 105

博斯克服务全球105个国家的客户。

配件发货: 25M+

我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件,比前五年增长148%。

制造商: 950

2022年,博斯克从近950个制造商售卖了配件。

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