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IRFS3006PBF

IR IRFS3006PBF

N 通道60 V195A(Tc)4V @ 250µA375W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)表面贴装型

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IRFS3006PBF
HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET
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价格更新:一个月前

博斯克质量保证

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产品详情

Features

HEXFET® Series


  • Ruggedness of the Gate, Avalanche, and Dynamic dV/dt

  • Avalanche SOA and fully characterized capacitance

  • Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability

  • Lead-Free



D2PAK Supplier Device Package

Applications


  • Synchronous Rectification with High Efficiency in SMPS

  • Uninterruptible Power Supply (UPS) is a type of power supply that is

  • Power Switching at High Speed

  • Circuits with hard switches and high frequencies




产品属性
全选
型号系列: HEXFET®
包装: 散装
部件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 195A(Tc)
最大驱动电压(Rds 开启),最小驱动电压(Rds 开启): 10V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 2.5 毫欧 @ 170A,10V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 4V @ 250µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
最大栅极源电压: ±20V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 8970 pF @ 50 V
最大功率耗散: 375W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: D2PAK
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
International Rectifier

International Rectifier

International Rectifier(IR)是一家专注于电源管理技术的半导体公司,成立于1947年,总部位于美国加利福尼亚州埃尔塞贡多。2015年,IR被Infineon Technologies收购,成为其电源管理解决方案的重要组成部分。

实时新闻

博斯克数字

收入: 85M

2022年的收入为8500万美元,与2021年增长63%。

国家: 105

博斯克服务全球105个国家的客户。

配件发货: 25M+

我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件,比前五年增长148%。

制造商: 950

2022年,博斯克从近950个制造商售卖了配件。

所有产品零件号 0 - Z