IR IRFR15N20DPBF
N 通道200 V17A（Tc）5.5V @ 250µA3W（Ta），140W（Tc）-55°C ~ 175°C（TJ）表面贴装型
比较IRFR15N20DPBF
HEXFET SMPS POWER MOSFET
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面议
价格更新：一个月前博斯克质量保证
产品详情
Features
HEXFET® SeriesHigh current carrying capability
Industry-standard qualification level
Low switching losses
Multi-vendor compatibility
Fully characterized avalanche voltage and current
Standard pinout allows for drop-in replacement
Low Gate-to-Drain charge
Increased ruggedness
Fully characterized capacitance
Applications
SOA Power
DC-DC Converter
Electric Vehicle
Synchronous Rectifier Switch
Amplifier
运输
包装
相似产品
产品属性
全选
型号系列: HEXFET®
包装: 散装
部件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 17A（Tc）
最大驱动电压（Rds 开启），最小驱动电压（Rds 开启）: 10V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 165 毫欧 @ 10A，10V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 5.5V @ 250µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
最大栅极源电压: ±30V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 910 pF @ 25 V
最大功率耗散: 3W（Ta），140W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: D-Pak
封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
International Rectifier
International Rectifier（IR）是一家专注于电源管理技术的半导体公司，成立于1947年，总部位于美国加利福尼亚州埃尔塞贡多。2015年，IR被Infineon Technologies收购，成为其电源管理解决方案的重要组成部分。
实时新闻
博斯克数字
收入: 85M
2022年的收入为8500万美元，与2021年增长63%。
国家: 105
博斯克服务全球105个国家的客户。
配件发货: 25M+
我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件，比前五年增长148%。
制造商: 950
2022年，博斯克从近950个制造商售卖了配件。
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