IR IRF630
N 通道200 V9A（Tc）4V @ 250µA75W（Tc）-65°C ~ 150°C（TJ）通孔
比较IRF630
MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
￥0.72
价格更新：一个月前博斯克质量保证
产品详情
Overview
This power MOSFET is designed using the company’s consolidated strip layout-based MESH OVERLAY process. This technology matches and improves the performances compared with standard parts from various sources.
Features
MESH OVERLAY™ II SeriesHigh dv/dt capability
Low input capacitance
Low gate charge
Advanced switching performance
Available in the TO?220 package
Applications
Switching applications
Synchronous rectification
Uninterruptible power supplies
运输
包装
产品属性
全选
型号系列: MESH OVERLAY™ II
包装: 管件
部件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 9A（Tc）
最大驱动电压（Rds 开启），最小驱动电压（Rds 开启）: 10V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 400 毫欧 @ 4.5A，10V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 4V @ 250µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
最大栅极源电压: ±20V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 700 pF @ 25 V
最大功率耗散: 75W（Tc）
工作温度: -65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220
封装/外壳: TO-220-3
International Rectifier
International Rectifier（IR）是一家专注于电源管理技术的半导体公司，成立于1947年，总部位于美国加利福尼亚州埃尔塞贡多。2015年，IR被Infineon Technologies收购，成为其电源管理解决方案的重要组成部分。
实时新闻
博斯克数字
收入: 85M
2022年的收入为8500万美元，与2021年增长63%。
国家: 105
博斯克服务全球105个国家的客户。
配件发货: 25M+
我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件，比前五年增长148%。
制造商: 950
2022年，博斯克从近950个制造商售卖了配件。
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