联系我们
中文
71V424L12PH

IDT 71V424L12PH

512K x 812 ns0°C ~ 70°C(TA)

比较
71V424L12PH
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II
paypalvisamastercarddiscover
upsdhlsf
比较

面议

价格更新:一个月前

博斯克质量保证

912ob9001 201514001 201545001 201813485 2016esdduns
产品详情

Overview

The 71V424L12PHG 3.3V CMOS SRAM is organized as 512K x 8. All bidirectional inputs and outputs of the 71V424L12PHG are TTL-compatible and operation is from a single 3.3V supply. Fully static asynchronous circuitry is used, requiring no clocks or refresh for operation.

Features

Bulk Package
Volatile Memory Type
SRAM Memory Format
4Mbit Memory Size
512K x 8 Memory Organization
Parallel Memory Interface
12ns Write Cycle Time - Word, Page
12 ns Access Time
3V ~ 3.6V Voltage - Supply
0°C ~ 70°C (TA) Operating Temperature
Surface Mount Mounting Type
产品属性
全选
包装: 散装
部件状态: 停产
可编程: 未验证
存储器类型: 易失
存储器格式: SRAM
技术: SRAM - 异步
存储容量: 4Mb
存储器组织: 512K x 8
存储器接口: 并联
单词、页面的写入周期时间: 12ns
访问时间: 12 ns
电源电压: 3V ~ 3.6V
工作温度: 0°C ~ 70°C(TA)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 44-TSOP(0.400",10.16mm 宽)
供应商器件封装: 44-TSOP II
IDT, Integrated Device Technology Inc.

IDT, Integrated Device Technology Inc.

Integrated Device Technology Inc.(IDT)是一家专注于开发高性能混合信号半导体解决方案的公司,成立于1980年,总部位于美国加利福尼亚州圣何塞。IDT的产品广泛应用于通信、计算、消费电子和汽车市场。

实时新闻

博斯克数字

收入: 85M

2022年的收入为8500万美元,与2021年增长63%。

国家: 105

博斯克服务全球105个国家的客户。

配件发货: 25M+

我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件,比前五年增长148%。

制造商: 950

2022年,博斯克从近950个制造商售卖了配件。

所有产品零件号 0 - Z