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71V256SA15Y

IDT 71V256SA15Y

32K x 815 ns0°C ~ 70°C(TA)

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71V256SA15Y
IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ
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价格更新:一个月前

博斯克质量保证

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产品详情

Overview

The 71V256SA15Y 3.3V CMOS Asynchronous SRAM is organized as 32K x 8. When in standby mode, its very low power characteristics contribute to extended battery life. Under full standby mode (CS at CMOS level, f=0), power consumption is guaranteed to be less than 6.6mW. Fully static asynchronous circuitry is used; no clocks or refreshes are required for operation.

Features

Bulk Package
Volatile Memory Type
SRAM Memory Format
256Kbit Memory Size
32K x 8 Memory Organization
Parallel Memory Interface
15ns Write Cycle Time - Word, Page
15 ns Access Time
3V ~ 3.6V Voltage - Supply
0°C ~ 70°C (TA) Operating Temperature
Surface Mount Mounting Type
产品属性
全选
包装: 散装
部件状态: 在售
可编程: 未验证
存储器类型: 易失
存储器格式: SRAM
技术: SRAM - 异步
存储容量: 256Kb
存储器组织: 32K x 8
存储器接口: 并联
单词、页面的写入周期时间: 15ns
访问时间: 15 ns
电源电压: 3V ~ 3.6V
工作温度: 0°C ~ 70°C(TA)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 28-BSOJ(0.300",7.62mm 宽)
供应商器件封装: 28-SOJ
IDT, Integrated Device Technology Inc.

IDT, Integrated Device Technology Inc.

Integrated Device Technology Inc.(IDT)是一家专注于开发高性能混合信号半导体解决方案的公司,成立于1980年,总部位于美国加利福尼亚州圣何塞。IDT的产品广泛应用于通信、计算、消费电子和汽车市场。

实时新闻

博斯克数字

收入: 85M

2022年的收入为8500万美元,与2021年增长63%。

国家: 105

博斯克服务全球105个国家的客户。

配件发货: 25M+

我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件,比前五年增长148%。

制造商: 950

2022年,博斯克从近950个制造商售卖了配件。

所有产品零件号 0 - Z