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71256TTSA15YG

IDT 71256TTSA15YG

32K x 815 ns0°C ~ 70°C(TA)

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71256TTSA15YG
IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ
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价格更新:一个月前

博斯克质量保证

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产品详情

Overview

The 71256SA15YG 5V CMOS SRAM is organized as 32K x 8. The circuit also offers a reduced power standby mode for significant system level power and cooling savings. The low-power (L) version also offers a battery backup data retention capability allowing operation off a 2V battery. Fully static asynchronous circuitry is used; no clocks or refreshes are required for operation. Military grade product is available.

Features

Volatile Memory Type
Package / Case: 28-BSOJ (0.300, 7.62mm Width)

Surface Mount Mounting Type

Applications


There are a lot of Rochester Electronics, LLC
71256TTSA15YG Memory applications.

  • eSRAM
  • mainframes
  • multimedia computers
  • networking
  • personal computers
  • servers
  • supercomputers
  • telecommunications
  • workstations,
  • DVD disk buffer
产品属性
全选
包装: 管件
部件状态: 停产
可编程: 未验证
存储器类型: 易失
存储器格式: SRAM
技术: SRAM - 异步
存储容量: 256Kb
存储器组织: 32K x 8
存储器接口: 并联
单词、页面的写入周期时间: 15ns
访问时间: 15 ns
电源电压: 4.5V ~ 5.5V
工作温度: 0°C ~ 70°C(TA)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 28-BSOJ(0.300",7.62mm 宽)
供应商器件封装: 28-SOJ
IDT, Integrated Device Technology Inc.

IDT, Integrated Device Technology Inc.

Integrated Device Technology Inc.(IDT)是一家专注于开发高性能混合信号半导体解决方案的公司,成立于1980年,总部位于美国加利福尼亚州圣何塞。IDT的产品广泛应用于通信、计算、消费电子和汽车市场。

实时新闻

博斯克数字

收入: 85M

2022年的收入为8500万美元,与2021年增长63%。

国家: 105

博斯克服务全球105个国家的客户。

配件发货: 25M+

我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件,比前五年增长148%。

制造商: 950

2022年,博斯克从近950个制造商售卖了配件。

所有产品零件号 0 - Z