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HUF75545P3

Fairchild HUF75545P3

N 通道80 V75A(Tc)4V @ 250µA270W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)通孔

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HUF75545P3
N-CHANNEL ULTRAFET POWER MOSFET
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博斯克质量保证

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产品详情

Overview

UItraFET® Trench MOSFET combine characteristics that enable benchmark efficiency in power conversion applications. The device is capable of withstanding high energy in the avalanche mode, and the diode exhibits very low reverse recovery time and stored charge. Optimised for efficiency at high frequencies, lowest RDS(on), low ESR, and low total and Miller gate charge.Applications in high frequency DC to DC converters, switching regulators, motor drivers, low-voltage bus switches, and power management.

Features

UltraFET™ Series


  • UIS Rating Curve

  • Peak Current vs Pulse Width Curve

  • Spice and SABER Thermal Impedance Models

  • Ultra Low On-Resistance rDS(ON) = 0.010 |?, VGS = 10 V

  • Temperature Compensated PSPICE? and SABERTMElectrical Models



Through Hole Mounting Type

Applications


  • Industrial

  • Workstation

  • Server & Mainframe

  • Power management

  • AC-DC Merchant Power Supply - Servers & Workstations


产品属性
全选
型号系列: UltraFET™
包装: 散装
部件状态: 在售
场效应管类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏极至源极电压 (Vdss): 80 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C: 75A(Tc)
最大驱动电压(Rds 开启),最小驱动电压(Rds 开启): 10V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 10 毫欧 @ 75A,10V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 4V @ 250µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 235 nC @ 20 V
最大栅极源电压: ±20V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 3750 pF @ 25 V
最大功率耗散: 270W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商 设备封装: TO-220-3
包装 / 盒: TO-220-3
Fairchild Semiconductor

Fairchild Semiconductor

Fairchild Semiconductor是一家领先的半导体公司,成立于1957年,总部位于美国加利福尼亚州圣何塞。公司专注于电源管理和模拟半导体解决方案,2016年被ON Semiconductor收购。

实时新闻

博斯克数字

收入: 85M

2022年的收入为8500万美元,与2021年增长63%。

国家: 105

博斯克服务全球105个国家的客户。

配件发货: 25M+

我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件,比前五年增长148%。

制造商: 950

2022年,博斯克从近950个制造商售卖了配件。

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