Fairchild FGA30S120P
1300 V60 A-55°C ~ 175°C（TJ）TO-3P-3，SC-65-3
比较FGA30S120P
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
￥29.96
价格更新：一个月前博斯克质量保证
产品详情
Overview
Using advanced field stop trench and shorted-anode technology, Fairchild’s shorted-anode trench IGBTs offer superior conduction and switching performances for soft switching applications. The device can operate in parallel configuration with exceptional avalanche capability. This device is designed for induction heating and microwave oven.
Features
Bulk PackageHigh-Speed Switching
Low Saturation Voltage: VeE(eat)= 1.75V @lc=30A
High Input Impedance
RoHS Compliant
Applications
Induction Heating, Microwave Oven
运输
包装
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产品属性
全选
包装: 散装
部件状态: 在售
IGBT 类型: 沟槽型场截止
最大集电极-发射极击穿电压: 1300 V
集电极电流 (Ic)（最大值）: 60 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm): 150 A
栅极-发射极电压和集电极电流时的最大集电极-发射极导通电压: 2.3V @ 15V，30A
最大功率: 348 W
输入类型: 标准
栅极电荷: 78 nC
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-3P-3，SC-65-3
供应商器件封装: TO-3PN
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor是一家领先的半导体公司，成立于1957年，总部位于美国加利福尼亚州圣何塞。公司专注于电源管理和模拟半导体解决方案，2016年被ON Semiconductor收购。
实时新闻
博斯克数字
收入: 85M
2022年的收入为8500万美元，与2021年增长63%。
国家: 105
博斯克服务全球105个国家的客户。
配件发货: 25M+
我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件，比前五年增长148%。
制造商: 950
2022年，博斯克从近950个制造商售卖了配件。
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