联系我们
中文
FDS8882

Fairchild FDS8882

N 通道30 V9A(Ta)3V @ 250µA2.5W(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)表面贴装型

比较
FDS8882
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
paypalvisamastercarddiscover
upsdhlsf
比较

¥2.67

价格更新:一个月前

博斯克质量保证

912ob9001 201514001 201545001 201813485 2016esdduns
产品详情

Overview

The FDS8882 has been designed to minimize losses in power conversion application. Advancements in both silicon and package technologies have been combined to offer the lowest rDS(on) while maintaining excellent switching performance.

Features

PowerTrench® Series


  • Max rDS(on) = 20.0 mΩ at VGS = 10 V, ID = 9 A

  • Max rDS(on) = 22.5 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 8 A

  • High-performance trench technology for extremely low rDS(on) and fast switching

  • High power and current handling capability

  • Termination is Lead-free and RoHS Compliant



Surface Mount Mounting Type

Applications


  • Notebook System Regulators

  • cellular phones 

  • laptop computers

  • photovoltaic systems 

  • wind turbines

  • shunt voltage regulator and the series voltage regulator


产品属性
全选
型号系列: PowerTrench®
包装: 散装
部件状态: 在售
场效应管类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏极至源极电压 (Vdss): 30 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C: 9A(Ta)
最大驱动电压(Rds 开启),最小驱动电压(Rds 开启): 4.5V,10V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 20 毫欧 @ 9A,10V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 3V @ 250µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
最大栅极源电压: ±20V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 940 pF @ 15 V
最大功率耗散: 2.5W(Ta)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商 设备封装: 8-SOIC
包装 / 盒: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
Fairchild Semiconductor

Fairchild Semiconductor

Fairchild Semiconductor是一家领先的半导体公司,成立于1957年,总部位于美国加利福尼亚州圣何塞。公司专注于电源管理和模拟半导体解决方案,2016年被ON Semiconductor收购。

实时新闻

博斯克数字

收入: 85M

2022年的收入为8500万美元,与2021年增长63%。

国家: 105

博斯克服务全球105个国家的客户。

配件发货: 25M+

我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件,比前五年增长148%。

制造商: 950

2022年,博斯克从近950个制造商售卖了配件。

所有产品零件号 0 - Z