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FDPF5N50T

Fairchild FDPF5N50T

N 通道500 V5A(Tc)5V @ 250µA28W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)通孔

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FDPF5N50T
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5
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博斯克质量保证

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产品详情

Overview

UniFET™ MOSFET is Fairchild Semiconductor's high voltage MOSFET family. It has the smallest on-state resistance among the planar MOSFETs, and also provides superior switching performance and higher avalanche energy strength. In addition, the internal gate-source ESD diode allows UniFET-II™ MOSFET to withstand over 2000V HBM surge stress.UniFET™ MOSFETs are suitable for switching power converter applications, such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX (Advanced Technology eXtended) and electronic lamp ballasts.

Features

UniFET™ Series

 

RDS(on) = 1.15? ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 2.5A

Low gate charge ( Typ. 11nC)

Low Crss ( Typ. 5pF)

100% avalanche tested

Improved dv/dt capability

RoHS compliant


Through Hole Mounting Type

Applications


This product is general usage and suitable for many different applications.

LCD / LED / PDP TV

Lighting

Uninterruptible Power Supplies

AC-DC Power Supplies

 


产品属性
全选
型号系列: UniFET™
包装: 散装
部件状态: 在售
场效应管类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏极至源极电压 (Vdss): 500 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C: 5A(Tc)
最大驱动电压(Rds 开启),最小驱动电压(Rds 开启): 10V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 1.4 欧姆 @ 2.5A,10V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 5V @ 250µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
最大栅极源电压: ±30V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 640 pF @ 25 V
最大功率耗散: 28W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商 设备封装: TO-220F-3
包装 / 盒: TO-220-3 整包
Fairchild Semiconductor

Fairchild Semiconductor

Fairchild Semiconductor是一家领先的半导体公司,成立于1957年,总部位于美国加利福尼亚州圣何塞。公司专注于电源管理和模拟半导体解决方案,2016年被ON Semiconductor收购。

实时新闻

博斯克数字

收入: 85M

2022年的收入为8500万美元,与2021年增长63%。

国家: 105

博斯克服务全球105个国家的客户。

配件发货: 25M+

我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件,比前五年增长148%。

制造商: 950

2022年,博斯克从近950个制造商售卖了配件。

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