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FDB7030L

Fairchild FDB7030L

N 通道30 V80A(Ta)3V @ 250µA68W(Tc)-65°C ~ 175°C(TJ)表面贴装型

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FDB7030L
MOSFET N-CH 30V 80A TO263AB
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博斯克质量保证

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产品详情

Overview

FDB7030BL_NL with pin details manufactured by FAIRCHILD. The FDB7030BL_NL is available in TO263-3-2 Package, is part of the IC Chips.

FDB7030BLS with circuit diagram manufactured by FAI. The FDB7030BLS is available in TO263 Package, is part of the IC Chips.

Features

PowerTrench® Series


  • 100A, 30 V. RDS(ON)=0.007Ω @Vgs=10V

                         RDS(ON)=0.010Ω @Vgs=5 V.

  • Critical DC electrical parameters specified at elevated temperature

  • A rugged internal source-drain diode can eliminate the need for an extermal Zener diode transient suppressor

  • High-density cell design for extremely low RDS(ON)

  • 175°C maximum junction temperature rating



Surface Mount Mounting Type

Applications


  • Cellular phones 

  • Laptop computers

  • Photovoltaic systems 

  • Wind turbines

  • High-efficiency switching circuits


产品属性
全选
型号系列: PowerTrench®
包装: 卷带(TR)
部件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 80A(Ta)
最大驱动电压(Rds 开启),最小驱动电压(Rds 开启): 4.5V,10V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 7 毫欧 @ 40A,10V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 3V @ 250µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 33 nC @ 5 V
最大栅极源电压: ±20V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 2440 pF @ 15 V
最大功率耗散: 68W(Tc)
工作温度: -65°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: D²PAK(TO-263)
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
Fairchild Semiconductor

Fairchild Semiconductor

Fairchild Semiconductor是一家领先的半导体公司,成立于1957年,总部位于美国加利福尼亚州圣何塞。公司专注于电源管理和模拟半导体解决方案,2016年被ON Semiconductor收购。

实时新闻

博斯克数字

收入: 85M

2022年的收入为8500万美元,与2021年增长63%。

国家: 105

博斯克服务全球105个国家的客户。

配件发货: 25M+

我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件,比前五年增长148%。

制造商: 950

2022年,博斯克从近950个制造商售卖了配件。

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